启航网讯    11月9日上午，应学校邀请，北京科技大学郑新和教授在F315室作了题为“高品质半导体III族氮化物薄膜的原子层沉积与应用”的学术报告。报告会由副校长何兴道教授主持，测试与光电工程学院师生参加了此次报告会。

郑新和教授首先介绍了以氮化镓（GaN）为代表的III族氮化物半导体及其低维结构的国内外发展现状，以及在电子封装工程中的应用；其次，报告详细介绍了具有低温生长、覆膜性好以及厚度可以严格控制的原子层沉积（ALD）技术，及其用于III族氮化物的外延生长；最后，报告重点介绍了在硅（Si）、石墨烯/Si、二硫化钼（MoS2）/Si、导电玻璃、蓝宝石等衬底或模板上开展III族氮化物（包括AlN、GaN、InN）的等离子体原子沉积（PEALD）的系统研究和应用。

郑新和教授的报告深入浅出，讲解思路清晰，内容丰富，引起了在座师生的极大兴趣。讲座结束后，郑教授与现场师生进行了互动讨论，气氛十分热烈，大家纷纷针对报告内容和自己科研过程中遇到的问题向郑教授请教，郑教授都作了详细的解答，让大家受益匪浅，赢得了在场师生的一致赞誉和热烈掌声。

最后，副校长何兴道教授对报告会进行了总结发言，对郑教授所作的精彩报告表示感谢，希望在以后常来我校开展学术交流指导，提升我校师生的科研能力。