报告题目：高品质半导体III族氮化物薄膜的原子层沉积与应用

报告人：北京科技大学   郑新和教授

报告时间：2020年11月9日周一上午10:00

地点：F315会议室

专家简介：

　　郑新和教授长期从事氮化镓（GaN）基半导体薄膜生长、物性分析和光电器件（发光二极管和太阳能电池）方面的研究。先后主持参与科技部、国家自然科学基金、北京市自然科学基金、国防项目、苏州市国际合作、与日本索尼公司国际合作、与台湾工业研究院合作、横向项目以及人才引进项目等近20项。已在Small、APL等发表文章90余篇，累计被SCI引用1000多次，部分成果持续被引用已近20年；已授权发明专利近10项，包括2项PCT国际专利。GaN马赛克扭转角测量方法受到英国剑桥大学在物理类综合期刊Rep. Prog. Phys.上的多次评价；GaN薄膜晶格常数测量方法被实际应用到研究工作并写入科学出版社专著章节；InGaN/GaN异质结太阳能电池受到2014年诺贝尔物理奖获得者S.Nakamura教授研究组的多次引用；低温预热和氮等离子体预处理实现的半导体单晶GaN薄膜的原子层沉积受到了国际著名半导体行业杂志Semiconductor Today的专题报道。现担任中国电工技术学会半导体光源系统专业委员会委员、Condensed Matter Physics Report期刊编辑等。曾获得北科大连续两年“我爱我师-我心目中最优秀老师”、北科大优秀博士学位论文指导教师，北科大优秀共产党员、英国物理协会年度最佳审稿人奖、中科院优秀共产党员、江苏省科学技术三等奖等。